Condensateur d'amortissement GTO dans les équipements électroniques de puissance

Brève description:

Les circuits d'amortissement sont essentiels pour les diodes utilisées dans les circuits de commutation.Il peut protéger une diode des pics de surtension pouvant survenir lors du processus de récupération inverse.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Données techniques

Plage de température de fonctionnement	Température de fonctionnement maximale., Haut, max : + 85 ℃ Température de la catégorie supérieure : + 85 ℃ Température de la catégorie inférieure : -40 ℃
plage de capacité	0,22 ~ 3 μF
Tension nominale	3000V.DC ~ 10000V.DC
Cap.tol	±5 %(J) ;±10 %(K)
Résister à la tension	1,35Un CC/10S
Facteur de dissipation	tgδ≤0,001 f=1KHz
La resistance d'isolement	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (à 20℃ 100V.DC 60S) C>0,33μF RS*C≥5000S (à 20℃ 100V.DC 60S)
Résiste au courant de frappe	voir la fiche technique
Espérance de vie	100 000 h (Un ; Θhotspot≤70 °C)
Norme de référence	CEI 61071 ;

Fonctionnalité

1. Ruban Mylar, scellé avec de la résine ;

2. Câbles d'écrou en cuivre ;

3. Résistance à la haute tension, faible tgδ, faible élévation de température ;

4. ESL et ESR faibles ;

5. Courant d'impulsion élevé.

Application

1. Amortisseur GTO.

2. Largement utilisé dans les équipements électroniques de puissance en cas de tension de pointe, protection contre l'absorption de courant de pointe.

Circuit typique

Dessin au trait

spécification

Un=3000V.DC
Capacité (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/µS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1,5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Capacité (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/µS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Capacité (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/µS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1,5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Capacité (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/µS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1,5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Capacité (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/µS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1,5	95	114	123	30	800	1200	70