Circuit d'amortissement de haute qualité pour thyristors haute puissance, fabriqué en usine et très demandé – Conception haut de gamme pour condensateurs d'amortissement IGBT destinés aux applications haute puissance – CRE

Circuit d'amortissement de haute qualité pour thyristors haute puissance, fabriqué en usine – Condensateur d'amortissement IGBT haut de gamme pour applications haute puissance – Image mise en avant par CRE

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Circuit d'amortissement de haute qualité pour thyristors haute puissance, fabriqué en usine – Conception haut de gamme pour les applications haute puissance – Détails CRE :

Données techniques

Plage de températures de fonctionnement	Température de fonctionnement maximale : +105 °C Température de catégorie supérieure : +85℃ Température de catégorie inférieure : -40℃
plage de capacité	0,1 μF à 5,6 μF
Tension nominale	700 V CC à 3 000 V CC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Tension de tenue	1,5 Un CC/10 S
Facteur de dissipation	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
résistance d'isolation	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (à 20℃ 100V.DC 60S) C>0,33μF RS*C≥5000S (à 20℃ 100V.DC 60S)
Résister au courant de grève	voir la fiche technique
retardateur de flamme	UL94V-0
Espérance de vie	100 000 h (Un ; Θhotspot≤85 °C)
Norme de référence	IEC61071;GB/T17702;

Tableau des spécifications

Tension	700 V CC, 400 V CA ; 1050 V
	Dimension (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR à 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms à 40 °C à 100 kHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33
Tension	1000 V CC, 500 V CA ; 1500 V
	Dimension (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32
Tension	1200 V CC, 550 V CA ; 1800 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32
Tension	1700 V CC, 575 V CA ; 2250 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32
Tension	Un 2000 V CC, Urms 700 Vca ; Us 3000 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32
Tension	3000 V CC, 750 V CA ; 4500 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

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Guide des produits associés :

Ces dernières années, notre entreprise a intégré et maîtrisé des technologies de pointe, tant nationales qu'internationales. Parallèlement, notre équipe d'experts se consacre au développement de notre circuit d'amortissement à succès pour thyristors haute puissance (CRE) – un condensateur d'amortissement IGBT haut de gamme conçu pour les applications de forte puissance. Ce produit est distribué dans le monde entier, notamment en Irak, à Monaco et en Serbie. Afin de conserver notre position de leader, nous repoussons sans cesse les limites pour créer des produits d'excellence. Ainsi, nous contribuons à améliorer la qualité de vie et à promouvoir un meilleur cadre de vie pour tous.

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